DDR3測(cè)試解決方案  DDR3信號(hào)完整性測(cè)試

Fly-by 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

        為了改善信號(hào)完整性， DDR3內(nèi)存模組采用了 Fly-by 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。模組上的 DDR3芯片共享一組 CLK管腳、地址管腳和控制管腳。由于信號(hào)傳播延遲的存在，模組上的 DDR3芯片會(huì)在不刻進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸入 / 輸出。在進(jìn)行模組測(cè)試時(shí)，測(cè)試設(shè)備應(yīng)具備對(duì)不同測(cè)試通道進(jìn)行時(shí)間補(bǔ)償?shù)哪芰Α?nbsp;

DDR3測(cè)試解決方案

        針對(duì) DDR3測(cè)試所面臨的特點(diǎn)和挑戰(zhàn)，測(cè)試系統(tǒng)需提供更高的數(shù)據(jù)速率，我們采用的泰克測(cè)試系統(tǒng)，系統(tǒng)中的測(cè)試通道配備了參考電壓補(bǔ)償電路。該電路可以根據(jù) DR輸出的變化，實(shí)時(shí)地對(duì)參考電壓進(jìn)行補(bǔ)償，保證了數(shù)據(jù)判斷的可靠性，從而克服 I/O Dead Band 帶來(lái)的不利影響。

       系統(tǒng)提供了Multi-Scan Strobe功能 , 通過(guò)對(duì)芯片輸出信號(hào)進(jìn)行連續(xù)采樣，記錄并計(jì)算采樣時(shí)的PASS/FAIL 分界點(diǎn)。采用 Multi-Scan Strobe 功能所帶來(lái)的好處是，在一個(gè)測(cè)試周期中可以連續(xù)觸發(fā)多個(gè)采樣信號(hào)，只需單次運(yùn)行測(cè)試向量就可以獲得 PASS到FAIL以及FAIL到PASS的轉(zhuǎn)換點(diǎn) ( 即得目標(biāo)時(shí)間點(diǎn)的具體數(shù)值 ) 。相比以往業(yè)界常用的邊界掃描方式（同一個(gè)測(cè)試周期觸發(fā)一個(gè)采樣信號(hào)，通過(guò)不斷改變采樣信號(hào)的時(shí)間，反復(fù)運(yùn)行測(cè)試向量來(lái)尋找 PASS/FAIL的轉(zhuǎn)換點(diǎn)），Multi-Scan Strobe功能大大節(jié)約了時(shí)間參數(shù)測(cè)試的時(shí)間。

淼森波實(shí)驗(yàn)室提供的高速電路測(cè)試服務(wù)項(xiàng)目有：

① SI信號(hào)完整性測(cè)試，主要內(nèi)容是電源上電時(shí)序、復(fù)位、時(shí)鐘、I2C、SPI、Flash、DDR、JTAG接口、CPLD接口測(cè)試、URAT測(cè)試、網(wǎng)口測(cè)試、USB2.0/USB3.0測(cè)試、MIPI測(cè)試、HDMI測(cè)試、及板卡上其它芯片接口的信號(hào)測(cè)試。

② PI電源完整性測(cè)試，主要內(nèi)容是電源的電壓值（精度）、電源噪聲/紋波、電壓上下波形、測(cè)量緩啟動(dòng)電路參數(shù)、電源電流和沖擊電流、電源告警信號(hào)、冗余電源的均流參數(shù)。

③ 接口一致性測(cè)試，主要有以太網(wǎng)、USB2.0、USB3.0、MIPI、HDMI、SATA、Display Port、PCIE。