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RSOEMAX觸摸屏維修

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廣州騰鳴自動(dòng)化控制設(shè)備有限公司

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RSOEMAX觸摸屏維修常見(jiàn)故障:上電無(wú)顯示,運(yùn)行報(bào)警,無(wú)法與電腦通訊,觸摸無(wú)反應(yīng),觸控板破裂,觸摸玻璃,上電黑屏,上電白屏等故障。

       在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的破壞問(wèn)題。本文針對(duì)性地介紹了幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法,并在其基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法。

    1RAM測(cè)試方法回顧

    (1)方法1

    參考文獻(xiàn)中給出了一種測(cè)試系統(tǒng)RAM的方法。該方法是分兩步來(lái)檢查,先后向整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH,再先后讀出進(jìn)行比較,若不一樣,則說(shuō)明出錯(cuò)。

    (2)方法2

    方法1并不能完全檢查出RAM的錯(cuò)誤,在參考文獻(xiàn)中分析介紹了一種進(jìn)行RAM檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)算法MARCH—G。MARCH一G算法能夠提供非常出色的故障覆蓋率,所需要的測(cè)試時(shí)間是很大的。MARCH—G算法需要對(duì)全地址空間遍歷3次。設(shè)地址線(xiàn)為”根,則CPU需對(duì)RAM訪(fǎng)問(wèn)6×2n次。

    (3)方法3

    參考文獻(xiàn)中給出了一種通過(guò)地址信號(hào)移位來(lái)完成測(cè)試的方法。在地址信號(hào)為全O的基礎(chǔ)上,每次只使地址線(xiàn)Ai的信號(hào)取反一次,保持其他非檢測(cè)地址線(xiàn)Aj(i≠j)的信號(hào)維持0不變,這樣從低位向高位逐位進(jìn)行;接著在地址信號(hào)為全1的基礎(chǔ)上,每次只使地址線(xiàn)Ai的信號(hào)取反一次,保持其他非檢測(cè)地址線(xiàn)Aj(i≠j)的信號(hào)維持1不變,同樣從低位向高位逐位進(jìn)行。地址信號(hào)的移位其實(shí)就是按照2K(K為整數(shù),大值為地址總線(xiàn)的寬度)非線(xiàn)性尋址,整個(gè)所需的地址范圍可以看成是以全0和全1為背景再通過(guò)移位產(chǎn)生的。在地址變化的給相應(yīng)的存儲(chǔ)單元寫(xiě)入不同的偽隨機(jī)數(shù)據(jù)。在以上的寫(xiě)單元操作完成后,再倒序地將地址信號(hào)移位讀出所寫(xiě)入的偽隨機(jī)數(shù)據(jù)并進(jìn)行檢測(cè)。設(shè)地址線(xiàn)為n根,則CPU只對(duì)系統(tǒng)RAM中的2n+2個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。

    2基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM測(cè)試方法

    基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的測(cè)試方法是在方法3的基礎(chǔ)上改進(jìn)獲得的。方法3主要是使用全O和全1兩個(gè)背景數(shù)來(lái)移位展開(kāi)的,與MARCH—G算法相比獲得的故障覆蓋率稍微低些,但使用了較少的地址單元。這里我們把方法3中的背景數(shù)稱(chēng)為“種子”。以地址線(xiàn)為8根的RAM為例,種子分別取00000000和11111111兩個(gè)數(shù),取00000000、11111111、0000llll和llll0000四個(gè)數(shù),以及取00000000、11111111、00001111、11110000、00110011、1100llOO、01010101和10101010八個(gè)數(shù)來(lái)移位展開(kāi)測(cè)試,所達(dá)到的故障覆蓋率是不一樣的。種子數(shù)為2的改進(jìn)方法要低于MARCH—G算法的故障覆蓋率,種子數(shù)為4的改進(jìn)方法與MARCH—G算法相當(dāng),種子數(shù)為8的改進(jìn)方法能夠超過(guò)MARCH—G算法的效果。整體上基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的改進(jìn)方法是可以代替MARCH—G算法的,種子數(shù)目不同所需要的尋址次數(shù)也是不同的。設(shè)地址線(xiàn)為n根,種子數(shù)為2時(shí)需要訪(fǎng)問(wèn)RAM共計(jì)4”+4次,種子數(shù)為4時(shí)需要訪(fǎng)問(wèn)RAM共計(jì)8n+8次,種子數(shù)為8時(shí)需要訪(fǎng)問(wèn)RAM共計(jì)16n+16次,而MARCH—G算法需要訪(fǎng)問(wèn)RAM共計(jì)6×2n次??梢?jiàn),基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的改進(jìn)方法比MARCH—G算法的測(cè)試時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)大大降低。故障覆蓋率會(huì)隨著種子數(shù)目的增加而提高,當(dāng)然不同種子數(shù)時(shí)所需要的測(cè)試時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)也不同。在實(shí)際測(cè)試應(yīng)用中要根據(jù)測(cè)試時(shí)間和測(cè)試故障覆蓋率的需求來(lái)選擇合適的種子數(shù)目,才能達(dá)到滿(mǎn)意的效果。

    3

    本文介紹了單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試的一般方法,并在原有基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法。它具有診斷耗時(shí)短、故障覆蓋率高的特點(diǎn),有著很高的應(yīng)用價(jià)值。

    DSP系統(tǒng)的引導(dǎo)裝載是指在系統(tǒng)加電時(shí),由DSP將一段存儲(chǔ)在外部非易失性存儲(chǔ)器中的代碼移植到內(nèi)部高速存儲(chǔ)器單元并執(zhí)行的過(guò)程。這種方式即可利用外部存儲(chǔ)單元擴(kuò)展DSP本身有限的ROM資源,又能充分發(fā)揮DSP內(nèi)部資源的高速效能。引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的性能直接關(guān)系到整個(gè)DSP系統(tǒng)的可靠性和處理速度,是DSP系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必不可少的重要環(huán)節(jié)。在裝載系統(tǒng)中,外部非易失性存儲(chǔ)器和DSP的性能尤為重要。FLASH是一種高密度、非易失性的電可擦寫(xiě)存儲(chǔ)器,單位存儲(chǔ)比特的價(jià)格比傳統(tǒng)EPROM要低。為此,本文介紹了TMS320C6713浮點(diǎn)DSP芯片和SST公司提供的SST39VF400AFLASH存儲(chǔ)器的基本特點(diǎn),給出了使用該FLASH存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)完整的TMS320C6713DSP引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的具體方法。

    1硬件設(shè)計(jì)

    1.1主要芯片介紹

    DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)主要使用DSP芯片(TMS320C6713)和外擴(kuò)存儲(chǔ)器(SST39VF400A)兩種芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中TMS320C6713是一款高性能的32位浮點(diǎn)DSP,適用于音頻信號(hào)處理。該芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是在TMS320C62XX的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)制成的,其內(nèi)部集成了多個(gè)功能單元,并采用了先進(jìn)的VLIW體系結(jié)構(gòu)及流水線(xiàn)技術(shù);它采用3.3V的I/O電壓和1.8V的內(nèi)核電壓供電方式,并具有兩級(jí)cache緩存結(jié)構(gòu)。它還有以下兩個(gè)主要特點(diǎn):是運(yùn)行速度快。德州儀器公司(TI)推出的這一款300MHz的TMS320C6713數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的處理速度高達(dá)1800MFLOPS。TMS320C6713可以使用的工作時(shí)鐘和對(duì)應(yīng)指令周期表如表1所列。


    TMS320C6713可以使用的工作時(shí)鐘和對(duì)應(yīng)指令周期表如表1所列

    是精度高。TMS320C6713有三個(gè)因素影響著浮點(diǎn)格式的內(nèi)在高精度。浮點(diǎn)DSP的24位I/O字長(zhǎng)在整數(shù)與實(shí)數(shù)值方面可實(shí)現(xiàn)比定點(diǎn)器件中常用的16位字長(zhǎng)更高的jingque度。第二.取冪大幅提高了應(yīng)用可用的動(dòng)態(tài)范圍,較大的動(dòng)態(tài)范圍對(duì)處理極大數(shù)據(jù)集以及難以方便預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)集范圍的情況相當(dāng)重要。第三,硬件內(nèi)部的浮點(diǎn)數(shù)據(jù)表示法比定點(diǎn)器件更為jingque,這就保證了終結(jié)果的更高jingque度。

    SST39VF400A是SST公司推出的FLASH存儲(chǔ)器。該器件十分適合用作外擴(kuò)存儲(chǔ)器,它的存儲(chǔ)容量為4MB,采用3.3V單電源供電,無(wú)需額外提供高電壓即可通過(guò)一些特殊的命令字序列來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)各個(gè)子模塊的讀寫(xiě)和擦除。并可重復(fù)十萬(wàn)次以上,還可通過(guò)DSP編程來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)它的讀寫(xiě)操作,十分適合于系統(tǒng)的調(diào)試和開(kāi)發(fā)。

    1.2系統(tǒng)硬件接口設(shè)計(jì)

    DSP訪(fǎng)問(wèn)片外存儲(chǔ)器主要通過(guò)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)完成。它不僅具有很強(qiáng)的接口能力(可以和各種存儲(chǔ)器直接接口),具有很高的數(shù)據(jù)吞吐能力(高達(dá)1200MB/s)。TMS320C6713的EMIF能支持8位、16位和32位寬的所有存儲(chǔ)器,當(dāng)從這些窄位寬的存儲(chǔ)空間讀寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí),EMIF會(huì)將多個(gè)數(shù)據(jù)打包成一個(gè)32位的值,而不必增加額外電路。TMS320C6713與SST39VF400的接口電路設(shè)計(jì)如圖1所示。該電路主要通過(guò)DSP的相關(guān)輸出管腳來(lái)控制FLASH的擦除和讀寫(xiě)。其中,A0~A19為地址線(xiàn),DQ0~DQ15為數(shù)據(jù)線(xiàn),OE和WE分別為輸出使能和寫(xiě)使能,CE1為片使能。由于TMS320C6713默認(rèn)的引導(dǎo)模式是從外部CE1空間的16位FLASH來(lái)引導(dǎo)裝載,TMS320C6713的CE1和FLASH的片選CE相連。


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